25n50e场效应管检测好坏(k2485场效应管测好坏)

红笔

25n50e场效应管检测好坏(k2485场效应管测好坏)

25n50e场效应管检测好坏(k2485场效应管测好坏)

25n50e场效应管检测好坏(k2485场效应管测好坏)

黑笔

任意接MOS管的两脚，测得一组

电阻

值，然后调换

表笔

测得另组阻值，

如果两次测得阻值

大小

相近，则可以判断被测的两脚为S源极和D

漏极

，剩下的就是G栅极；

如果两次测得电阻相比较大，可以判断两脚分别为G与D或者

G与S，测试值为小阻值时，

黑表

笔为G栅极。

贴片场管与

三极管

难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测

场管测量时，

取下

来测，在主板上测量会不准

2、好坏判断

测D、S两脚值为（300-800）为正常，如果显示“0”且长响，场管击穿；如果显示“1”，场管为开路

测试管子的G与D

、G与S如果测试正反向电阻值相很大，管子时好的；如果正反向阻值小，说明管子损坏；如果正反向阻值大，说明管子性能；另外再测S与D，如果阻值为0或者

无穷大

，说明管子损坏；如果阻值一定，测试时可以用手同时触摸G极，此时阻值应该有变化，变化范围越大说明管子越好。

对于绝栅型管子只有用

测试仪

来判断

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万用表10K 正极接D ；负极接S 用手去碰G。万用表读数有变化说明是好管子，没有读数为坏！

看它是N沟的还是P沟的先．N沟的话拆下来先放电用二极管档的黑笔接D极红笔接S极．阻值为400～700为好．P沟则表笔正好与N沟接法相反．测得的阻值也为400～700为好．其它情况则可视为坏

看它是N沟的还是P沟的先．N沟的话拆下来先放电用二极管档的黑笔接D极红笔接S极．阻值为400～700为好．P沟则表笔正好与N沟接法相反．测得的阻值也为400～700为好．其它情况则可视为坏

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数字万用表：把场效应管有字一面面向自己，管脚从左向右分别为G D S。万用表用二极管挡。黑笔接S极 红笔碰一下G极。然后把红笔接D极会发现万用表有读数。则场效应管完好。这种方法只适合n沟道场效应管。而P沟道场效应管则红笔和黑笔对就行了。如没有万用表可以用直流电源测试，方法如下：用12V一下直流电都可以，首先电源负极接S极，然后正极接12v的电灯泡。灯泡另一端接D极，然后用一导线接电源正极，用导线接触一下G极。此时场效管S D极被触发导通，灯泡被点亮，如果用手同时接触G D S则S D极被关断，灯泡熄灭。这可以认为场效应管是好的。 手机打的好幸苦…………

根据MOS管的PN结正向和方向的电阻值不同来分辨！具体的作：根据所拿的MOS管电子元器件商家给出的阻值选择合适的电阻档，任意选择两个电极接入万用表，测量两个电极的正、反向电阻。如果得到的数字几乎是相等的，且数值偏大在几千，则说明选择的电极是漏极D和源极S，那么剩下的那个就是栅极G。

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如何判断场效应管的好坏？

场效应管的好坏判断方法与三极管完全不同,以N沟道MOSFET为例,按如下方法进行:

1.万用表置二极管档;

2.红笔接D极,黑笔接S极应是不通的;反过来量则接应有0.5V的压降;

3.红笔接G极,黑笔接S极,也应是不通的,但此步骤很重要,已经给G极充上了电荷,此时管子已开通;

4.再次红笔接D极,黑笔接S极,此时应有零点几伏的压降,说明管子已开通;

5.表笔维持不动,用手指碰一下管子的三个极,给G,S间放电,管子关断.D,S间又不通了.

如果上述过程都正确,那么可以确定管子是好的.

如果是P沟道MOSFET,将万用表红黑表笔交换即可.

.跟判断三极管的方法是一样的

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1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，

2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，

3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿

场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。

与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制 器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端 电流极小，因此它的 输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数 载流子导电，因此它的 温度稳定性较好；

（4）它组成的 放大电路的电压放大 系数要小于三极管组成放大电路的 电压放大系数；

（5）场效应管的抗 辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱 运动的电子扩散引起的 散粒噪声，所以噪声低。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的 电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有 电子、空穴的自由移动，在 理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的 强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

MOS 场效应管电源开关电路

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

场效应管在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

C-MOS 场效应管（增强型 MOS 场效应管）

电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

用万用表判断场效应管好坏的方法：

1、用测电阻法判别结型场效应管的电极。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极；

2、用测电阻法判别场效应管的好坏。测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏；

3、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力；

4、用测电阻法判别无标志的场效应管；

5、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小。

用数字万用表的欧姆档分别两两测G,D,S间阻值，有短路情况，则证明管子已经坏掉了；

D S 间有寄生二极管，测量时注意看

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